TLV1171 低压降 (LDO) 线性稳压器是普及型 1117 稳压器的低输入电压版本。
TLV1171 是一款极低功耗器件，其消耗的静态电流为传统 1117 稳压器的五百分之一，这使得 TLV1171非常适合于需要极低待机电流的应用。 TLV1171 LDO 还可在 0 mA 负载电流下保持稳定；没有最低负载要求，这使得此器件非常适合于需要在待机时为极小负载供电、同时又可在正常工作期间提供大约 1A 大电流的应用。 TLV1171 可提供出色的线路与负载瞬态性能，从而可在负载电流要求从不足 1 mA 变为超过 500 mA 时实现极低的下冲与过冲输出电压。
高精度带隙与误差放大器支持 1.5% 的精度。 极高的电源抑制比使该器件能够在开关稳压器之后用于后稳压。 其它重要特性还包括低输出噪声与低压降电压等。
该器件可通过内部补偿，在使用 0 Ω ESR 电容器时保持稳定。 这些重要优势可实现对低成本小型陶瓷电容器的使用。 此外，在必要时还可使用具有较高偏置电压和温度降额的低成本电容器。
TPS1171 采用 SOT223 封装方式。 对于此器件的替代插脚引线，请参考TLV1171LV。
特性
• 精度：1.5%（典型值）
• 低 IQ：100μA（最大值）
- 比标准 1117 器件低 500 倍
• VIN：2.0V 至 5.5V
- VIN：绝对最大值为 6.0V
• 输出电流 0mA 时保持稳定
• 低压降：VOUT = 3.3V，1A 时为 455mV
• 高电源抑制比 (PSRR)：频率 1kHz 时为 65dB
• 最低保证限流：1.1A
• 与低成本陶瓷电容器一起工作时保持稳定性：
- 具有 0Ω 等效串联电阻 (ESR)
• 温度范围：-40°C 至 +125°C
• 具有热关断及过流保护功能
• 提供的封装类型：小外形尺寸晶体管 (SOT)223 封装
- 可提供的电压选项的完整列表请参阅此文档末尾的。
• 低 IQ：100μA（最大值）
- 比标准 1117 器件低 500 倍
• VIN：2.0V 至 5.5V
- VIN：绝对最大值为 6.0V
• 输出电流 0mA 时保持稳定
• 低压降：VOUT = 3.3V，1A 时为 455mV
• 高电源抑制比 (PSRR)：频率 1kHz 时为 65dB
• 最低保证限流：1.1A
• 与低成本陶瓷电容器一起工作时保持稳定性：
- 具有 0Ω 等效串联电阻 (ESR)
• 温度范围：-40°C 至 +125°C
• 具有热关断及过流保护功能
• 提供的封装类型：小外形尺寸晶体管 (SOT)223 封装
- 可提供的电压选项的完整列表请参阅此文档末尾的。
—— 技术参数 ——
| Output options | Fixed Output |
| Iout(Max)(A) | 1 |
| Vin(Max)(V) | 5.5 |
| Vin(Min)(V) | 2 |
| Vout(Max)(V) | 2.5 |
| Vout(Min)(V) | 1.2 |
| Fixed output options(V) | 1.21.51.82.5 |
| Package Group | SOT-223 | 4 |
| Features | |
| Regulated outputs(#) | 1 |
| Operating temperature range(C) | -40 to 125 |
| Thermal resistance θJA(°C/W) | 63 |
| Noise(uVrms) | 60 |
| Approx. price(US$) | 0.20|1ku |
| Rating | Catalog |
| PSRR @ 100 KHz(dB) | 50 |
| Accuracy(%) | 1.3 |
| Dropout voltage (Vdo)(Typ)(mV) | 455 |
| Iq(Typ)(mA) | 0.05 |
| Package size: mm2:W x L (PKG) | 4SOT-223: 46 mm2: 7 x 6.5 (SOT-223 | 4) |
