▲ 图源：特斯拉
InFO_SoW（整合型扇出晶圆级系统封装）是“InFO”技术
应用于高性能计算机的一种改良模式，也是一种晶圆级（Wafer Scale）的超大型封装技术，主要包括晶圆状的放热模组（Plate）、硅芯片（Silicon Die）群、InFO RDL、电源模组、连接器等部分。
InFO_SoW 在模组（尺寸和晶圆大小相近）上横向排列多个硅芯片（Silicon Die，或者 Chip），再通过“InFO”结构使芯片和输入 / 输出端子相互连接，从而区别于堆叠了两个“InFO”的“InFO_SoIS（System on Integrated Substrate）”技术。
一般来说，InFO_SoW 技术生产的芯片面积较大，它可以将大规模系统（由大量的硅芯片组成）集成于直径为 300mm 左右的圆板状模组（晶圆状的模组）上；而通过采用 InFO 技术，它又可以获得相比传统的模组相更小型、更高密度的集成系统。
在台积电之前公布的资料中，InFO_SoW 相比于采用倒装芯片（Flip Chip）技术的 Multi-chip-module（MCM）和“InFO_SoW”更有优势。IT之家查询发现，与 MCM 相比，其相互连接的排线宽度、间隔缩短了二分之一，排线密度提高了两倍。此外，其单位面积的数据传输速度也提高了两倍；电源供给网络（PDN）的阻抗（Impedance）明显低于 MCM，仅为 MCM 的 3%。
