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西安三星半导体 12 英寸闪存芯片扩建项目取得新进展,项目正式进入主体施工阶段

日期:2023-12-12 来源:IT之家 评论:0
标签: 半导体 芯片 科技
  今年10月,三星电子和SK海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。
  中建钢构消息显示,三星(中国)半导体12英寸闪存芯片M-FAB项目模块已完成首吊,这也标志着项目正式进入主体施工阶段。

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  公开资料显示,三星(中国)半导体有限公司2012年落户西安高新区,而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。
  该工厂于2020年增设了第二期工厂项目,目前已发展成为全球最大的NAND制造基地,每月可生产20万片12英寸晶圆,这占据了三星NAND总产量的40%以上。
  三星西安工厂第一工厂投资108.7亿美元(IT之家备注:当前约780.47亿元人民币),2017年开始建造的第二工厂,先后投资了150亿美元(当前约1077亿元人民币)。
  三星(中国)半导体公司二期项目位于西安市长安区西太路综合保税区,由三星(中国)半导体有限公司投资建设,总建筑面积约10.7万平方米。
  官方指出,项目建成投产后将成为全球规模最大的闪存芯片生产基地,为西安市电子信息产业高端集群化发展,打造全球知名的电子信息产业创新高地形成强有力的支撑。
  Business Korea今年10月报道称,三星电子高层已决定将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺,并开始大规模扩张。
  消息人士称,三星已开始采购最新的半导体设备,新设备预计将在2023年底交付,并于2024年在西安工厂陆续引进可生产第8代NAND的设备,这也被业界视为克服全球NAND需求疲软导致产能下降的战略步骤。
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