图源：三星
最新报道称三星电子耗资105亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大HBM产能。三星电子还计划再投资7000亿至1万亿韩元，用于新建新的封装线。
IT之家此前报道，三星电子副总裁兼DRAM产品和技术团队负责人Hwang Sang-jun先生透露，三星已开发出速度为9.8Gbps的HBM3E，并计划开始向客户提供样品。
三星正在开发HBM4，目标是到2025年推出。据悉，三星电子正在积极开发HBM4的各种技术，包括针对高温热特性和混合键合（HCB）优化的非导电胶膜（NCF）组装技术等。
美光也在积极筹备HBM生产，于11月6日在台中开设了新工厂。美光表示，这个新设施将集成先进的测试和封装功能，并将致力大规模生产HBM3E以及其他产品。此次扩展旨在满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等各种
应用日益增长的需求。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，该公司计划在2024年初开始大量出货HBM3E。美光的HBM3E技术目前正在接受NVIDIA的认证。最初的HBM3E产品将采用8-Hi堆栈设计，容量为24GB，带宽超过1.2TB/s。
此外，美光计划在2024年推出更大容量的36GB 12-Hi堆栈HBM3E。在早些时候的一份声明中，美光曾预计，到2024年，新的HBM技术将贡献“数亿美元”的收入。
