这两天的美日荷“神秘协议”,闹得沸沸扬扬的,而这涉及到一家叫阿斯麦ASML的公司,因为他垄断了全球中高端光刻机市场,而光刻机又是生产芯片的最关键设备,因此中国秦刚外长日前同荷兰副首相兼外交大臣胡克斯特拉通电话,就双边关系等问题深入交换了意见,希望不要受美国胁迫,但很不幸荷兰政府仍然通知ASML扩大禁售协议,禁止向中企出售DUV光刻机,光刻机这扇门终究还是对中国关闭了,同日美国通知相关厂商全面禁售华为产品,未来的路将越来越难走。
广大网友们愤怒了,骂美国骂日本骂荷兰,还有一部分人认为没啥,我们很快能自己研发出来。可静下来冷静思考一下,几十年的技术积累不是一朝一夕的,我们要给我们的科研人员足够的时间和耐心,不吹捧不盲目自大,相信有朝一日我们终能突破技术限制,造出我们自己的国产光刻机。
那人们不禁好奇了,为什么作为一家荷兰的跨国企业为啥最终会向美国“屈服”呢?这不得不说光刻机背后的秘密了,因为核心技术依旧掌握在美国手中,他有一百种办法对付阿斯麦。
当前主流光刻机分为深紫外光源(DUV)、极紫外光源(EUV),一台EUV光刻机净重可达180吨,内部零件高达10万件之多,但主要核心部件分为两个部分:对准系统和紫外光源。这核心的核心就掌握在美国佬手里,这是基础技术的比拼,EUV相比DUV,就是把193nm的短波紫外线替换成了13.5nm的极紫外线,而该光源正是来自于美国的Cymer,13.5nm的极紫外线其实是从193nm的短波紫外线多次反射之后得到的,需要用功率为250的二氧化碳激光去不断轰击滴落下来的金属锡滴液,才能激发出EUV等离子体,获得波长更短的光。
而EUV的光学元件来自于德国蔡司公司,其中的EUV多层膜反射镜作为光学系统的重要元件,成为了EUV光源之后又一项关键技术,它必须实现EUV波段的高反射率才可以。
ASML的EUV光刻机工作台采用的是一种高精度的激光干涉仪,以此进行微动台的位移测量,构建出一个闭环的控制系统,进而实现纳米级的超精密同步运动。首先必须保证光刻机的工作精度,芯片制造过程中需要经历多次曝光,这也就意味着必须要进行多次对准操作。
一次对准可能比较容易,但芯片的制造需要多次曝光多次对准,在曝光完一个区域之后,放置硅晶圆的曝光台就必须快速进行移动,接着曝光下一个需要曝光的区域,想要在多次快速移动中实现纳米级别的对准,难度就相当大了。
总之,光刻机的整个生产制造过程,包涵了数学、电子光学、流体动力学、高分子物理化学、表层物理学与有机化学、仪器仪表、机械设备、自动化、图像识别等多项行业顶尖技术,有人说甚至比造原子弹还要难。前路漫漫,期待科研部门尽快攻克一个又一个难关,同时也希望国家能重视基础技术这块,培养更多的技术Kaiyun官方网站app登录 ,虽然成果慢甚至可能失败,但却是任何技术的基石,由衷地希望中国未来能领跑全球科技!