三星3nm GAA良品率仅20％，或与新伙伴合作改善生产

三星在今年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nmGAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片，面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。

虽然三星看似在3nm制程节点上先行一步，但实际生产上并非一帆风顺。据ctee报道，与之前的4/5nm工艺一样，三星在3nmGAA工艺生产上同样遇到了挫折，良品率仅为20%。正是由于三星在4/5nm工艺上糟糕的良品率，才迫使高通这样的大客户将旗舰SoC订单转投到台积电（TSMC）。

为了克服生产上遇到的重重障碍，传言三星选择与美国的SiliconFrontlineTechnology合作，以提高3nmGAA工艺的良品率。至于为什么会选择这家公司，据称是其通过ESD静电及相关技术，以提高晶圆的良品率，似乎是个理想的合作伙伴。

至于是否有实际收益，还要留意未来几个月三星的晶圆代工情况，看看是否有客户愿意下订单采用三星的先进工艺。有消息指出，如果三星的计划取得成效，高通可能会重新选择三星，在一些SoC上采用双代工厂的做法，以便更好地控制产能和成本。