10月22日消息,据俄罗斯下诺夫哥罗德策略发展机构公文,俄罗斯科学院下诺夫哥罗德
应用物理研究所(IPF RAS)正在开发俄罗斯首套半导体光刻设备,并对外夸下海口:这套光刻机能够使用7nm生产芯片,可于2028年全面投产。
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据介绍,他们计划在六年内制作出光刻机的工业原型,首先要在2024年开发一台alpha机器。这一阶段的重点不在于其工作或解决的高速性,而在于所有系统的全面性。
然后,到2026年,alpha应该被Beta所取代。届时所有系统都将得到改进和优化,分辨率也将得到提升,生产力也将提高,许多操作将实现机械自动化。这一阶段重要的是要将其集成到实际的技术流程中,并通过“拉起”适合其他生产阶段的设备对其进行调试。
第三步也就是最后一步,将为光刻机带来更强的光源、改进的定位和馈送系统,并使得这一套光刻系统能够快速准确地工作。
之前曾报道,俄罗斯目前已经可以生产65nm制程的芯片,该国此前宣布了一项国家计划,希望在2030年开发28nm制程,希望靠着对外国芯片进行逆向工程,并培养当地半导体Kaiyun官方网站app登录 。
俄罗斯科学院纳米结构研究所副所长表示,全球光刻机领导者ASML近20年来一直致力于EUV曝光机,目标是让世界顶尖半导体厂商保持极高的生产效率。但俄罗斯并不需要,只要根据俄罗斯国内的需求向前推进即可。
从其他外媒的评价来看,俄罗斯的想法似乎太过天真,毕竟想在6年内仅凭自己研发出可媲美ASML十年积淀的光刻技术实在是有点难以令人相信,且晶圆厂并非光靠光刻机就可生产出芯片,还需要许多外围设备,而俄罗斯并不满足独立生产这些设备的条件。
值得一提的是,下诺夫哥罗德代表团还向大家展示了未来光刻设备的演示样品。这套系统基于下诺夫哥罗德的IAP RAS开发、制造和安装。不过他们自己也提到,这甚至不是设备原型,而是“原型的原型”。
这套演示设备虽然不能解决实际的工业问题,但它可以让科学家有机会验证关键技术的可行性,并测试进一步工作所需的其他关键假设。