▲图源Hankyung
Kye Hyun Kyung承认三星的代工技术“落后于台积电”。他解释说，三星的4nm技术比台积电落后大约两年，而其3nm工艺则比台积电落后大约一年。
不过，Kye Hyun Kyung也表示，但等到2nm就会发生变化，并大胆预测：“我们可以在五年内超越台积电。”
三星可能在未来五年内跑赢台积电的想法，源于三星打算从3nm制造工艺开始使用Gate All Around（GAA）技术。相比之下，台积电在达到200万产量之前不会使用GAA。
GAA是一种生产工艺，可以使三星生产出比台积电目前使用的工艺更小（45%）、能耗更低（50%）的芯片。Kye Hyun Kyung称“客户对三星电子的3nm GAA工艺的反映很好”。
Kye Hyun Kyung还表示，三星预计存储半导体在开发AI服务器方面将变得更加重要，并超过英伟达GPU，并称三星将“确保以存储器半导体为中心的超级计算机能够在2028年问世”。
据IT之家此前报道，近期三星称，其4nm芯片制程良率已改善、接近5nm的水准，下一代4nm制程将提供更高的良率。
业内消息人士透露，美国芯片巨头AMD公司已经选择了三星电子作为其4nm处理器的合作伙伴。此外，谷歌公司也将委托三星电子生产其Pixel 8智能手机的Tensor 3芯片，采用三星电子第三代4nm工艺节点。
