他表示，到2026年，全球3纳米工艺节点代工市场将达到242亿美元规模，较今年的12亿美元增长将超20倍。
目前，三星电子是唯一一家宣布成功量产3纳米芯片的公司，随着三星电子、台积电、英特尔等半导体大厂开始引进EUV设备，工艺技术不断发展，预计3纳米工艺将成为关键竞争节点。
根据Gartner数据，截至今年年底，在晶圆代工市场中占据最大份额的是5纳米和7纳米工艺，市场规模369亿美元，未来其份额将逐步由3纳米所取代。他表示，“随着14纳米FinFET工艺的推出，三星电子已经上升到代工市场的第二位。”
据称，3纳米节点需要新的器件结构以提升性能，率先实现量产3nm工艺的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的MBCFET技术，较FinFET性能功耗有明显改善。
“就FinFET而言，性能随着引脚数量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET的效率要高得多，因为它们在相似的水平上提高了性能和功率。”
具体来说，在FinFET技术中性能提升1.3倍但功耗也会随着上涨2.2倍，而在MBCFET中，性能提高1.7倍时，功耗只会增加1.6倍，相对来说效率更高。
